第238章 无心坑人人被坑(第1页)


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掌机的屏幕,是掌机发展的一个重点,在历史上,掌机之所以能够发展起来,也和屏幕有很大的关系。

而在屏幕开始变成了彩se的、动感的之后,这时候,技术才开始对掌机产生了限制。

如果让凯瑟琳现在制作一台可以玩《超级马里奥》的掌机,这完全没有任何问题,但现在可没有这样的游戏屏幕,而且恐怕电池的续航能力也不够。

不仅仅是掌机,这个问题也同样存在于哔哔面。

凯瑟琳的哔哔xiao子,是准备为了美国大兵单兵装备啊,这两个因素,也是限制哔哔xiao子的一个重要关键。

哔哔xiao子的个人版本,应该就是一个简化版本的pda了,只不过,现在续航问题、显示问题,严重困扰着哔哔xiao子的发展,所以就目前而言,哔哔xiao子只有车,而且三款里面,有两款都是用在坦克车这与凯瑟琳的发展战略,根本就不和嘛!

屏幕的问题,要解决的话,凯瑟琳最后还是将目光放在了fed上面。

fed很早就出现了,所谓的场发she电极理论最早是在92年由r共同提出,不过真正以半导体制程技术研发出场发she电极元件,开启运用场发she电子做为显示器技术,则是在96年由dt提出,随后吸引后续的研究者投入研发。

不过在这个时代,fed已经成为了凯瑟琳的研究项目,而且这个概念也已经早就提出了,目前,公司正在与斯坦福大学联合研究fed。

严格意义上而言,sed也是属于fe显示器的延伸。

所以,凯瑟琳现在就已经开始研究fed和sed的显示器了。

&nbs公司在第四届国际真空微电子会议上展出一款运用场发she电极技术制成的显示器成品之後,场发she电极技术才真正被注意,并吸引镁光、理光、摩托罗拉、三星、飞利浦等公司投入,也使得fed加入众多平面显示器技术的行列。

在场发she显示器的应用,发she与接收电极中间为一段真空带,因此必须在发she与接收电极中导入高电压以产生电场,使电场刺)类似,都是在真空中让电子撞击荧光粉发光,其中不同之处在crt由单一的电子枪发she电子束,透过偏向轨来控制电子束发节省空间的效果。其次在於电压部分,crt大约需要50kv左右的工作电压,而fed的yin极电压约xiao於kv。

在凯瑟琳来到这里之前,这种显示已经达到只需要2v的电压就可以了。

就目前而言,限制fed发展的因素,主要有两个,一个就是是一个偏转电场以及一个yin极she线管,但是在fed上面,却是数十万个发she场,这对于芯片而言,需要很高的要求――至少,现在的sfc很难控制得来。而另一个场发she器元件的问题也很重要,凯瑟琳现在使用的是微尺寸阵列。

虽然理论上能够实现发she显示的技术,但它的阵列特xing却限制显示的尺寸,主要原因是它的结构是在每个阵列单元上包含一个圆孔,圆孔内含一个金属锥,在制作过程中微影与蒸镀技术均会限制尺寸的大

毕竟,现在是60年代,想要和未来一样使用碳纳米管――这是不可能的。

没有了碳纳米管,fed的尺寸就会非常的

但也许能用在掌机上面?

凯瑟琳的思维立刻就发散了出来。

&nb电视的高亮度、高对比度、高分辨率、高响应速度和宽视角的优势,从任一角度都可到清晰图像,并无crt的电磁辐she和e线辐she,成本也不高。

现在唯一要解决的事情,就是控制芯片的问题。

如果分辨率不需要太高的话,这个问题也许会比较简单的解决。

而且始的时候,自己也许并不需要控制电路过于复杂,甚至自己只需要黑白就可以了。

虽然是黑白,但是与现在的led灯屏幕相比,那应该会好些吧?

凯瑟琳的目光,并没有局限在现在的这种方块led灯屏幕上面。

毕竟,虽然led的理论简单,但是相对而言,却并不算太困难。

可想要xiao型化的话,成本、控制,都是问题,特别是这种发光二极管的亮度都非常的高题是一大堆,但是凯瑟琳决定,还是朝着fed屏幕方面研究下去了。

这个时代还没有液晶屏幕,而凯瑟琳的fed和sed屏幕如果发展起来的话,也不一定就会比液晶屏幕发展得更慢。

从99年碳纳米管技术开始运用在fed屏幕上面只有,20年的时间,fed就从5寸的屏幕发展到了2寸,现在是967年,这样的话,也许到了90年代末,世界上就要开始普及fed的电视机了呢!

面板的问题,凯瑟琳只能顺其自然,这方面强求不来,她只能告诉这些研究者,碳纳米管是一个不错的材料――而另一方面,则是电池,这个问题也依然没有解决。

现主流的蓄电池,就是铅蓄电池。

甚至就连阿bo罗登月,也准备使用这种电池,但是这种电池后来却被镉镍电池代替,不过铅蓄电池的发展一直很昌盛,直到2世纪,很多的汽车里面依然有这种电池。

镉镍电池已经快要诞生了,对于凯瑟琳而言,这种电池也许是一个不错的悬臂。在锂电池技术成熟之前,镉镍电池一直是作为笔记的电池而存在的,所以这种电池应该会很不错。